반도체 장비, 우회할 수 없는 공정은 어디인가2026-08-14 · 5대목
기술·산업 구조
| 공정 단계 | 하는 일 | 우회 경로 | 이 단계의 공급자 |
|---|---|---|---|
| 노광 (Lithography) | 회로 패턴을 웨이퍼에 새긴다 | 7nm 이하에서는 없음. EUV 외 대안이 성립하지 않는다[^1] | ASML[^1] |
| 트랙 (Coater/Developer) | 노광 전후로 감광액을 바르고 현상한다 | 노광기와 짝을 이뤄 들어가므로 노광 대안이 없으면 함께 고정된다[^3] | Tokyo Electron[^3] |
| 증착 (ALD·CVD) | 원자 단위 박막을 쌓는다 | 구조에 따라 대체 가능하나 GAA의 High-k 금속 게이트에서는 좁다[^3] | ASM International, Applied Materials[^3][^9] |
| 식각 (Etch) | 쌓은 막을 깎아 구조를 만든다 | 공급자가 복수. 다만 고종횡비 수직 식각은 난이도가 다르다[^2] | Lam Research, Applied Materials, Tokyo Electron[^2][^9][^3] |
| 이온주입·연마 (CMP) | 불순물을 주입하고 표면을 평탄화한다 | 상대적으로 넓다 | Applied Materials[^9] |
| 계측·검사 (Process Control) | 결함을 찾아 수율을 확정한다 | 건너뛸 수는 있으나 수율을 포기하게 된다[^5] | KLA[^5] |
증착과 식각은 스텝 수가 늘어난다
Applied Materials는 증착·식각·이온주입·화학기계적 연마를 아우르는 가장 넓은 전공정 포트폴리오를 갖고 있다.[^9] 개별 장비가 아니라 단일 정밀 모듈 플랫폼(Centura, Producer 등) 단위로 수율을 제어하는 방식이다.[^9] 다만 포트폴리오가 넓다는 것은 특정 공정에 대한 의존이 낮다는 뜻이기도 해서, EUV처럼 폭이 좁고 대체가 어려운 영역의 성장이 전체 실적에서는 희석된다.[^9]
기업별 영향 비교
표를 가로로 읽으면 한 가지 균형이 보인다. 공정 위치가 좁고 대체가 어려울수록 수출 통제 노출 항목이 구체적으로 채워진다. ASML과 Tokyo Electron은 대체 난이도가 가장 높은 두 자리에 있으면서 지역별 매출 구성이 흔들리는 폭도 가장 크게 적혀 있다. 반대로 Applied Materials처럼 포트폴리오가 넓은 쪽은 규제 영향이 뭉뚱그려 서술되지만, 동시에 특정 공정의 고성장도 전체에서 희석된다. 대체 난이도와 규제 노출은 같은 성질의 앞뒷면이다.